【摘 要】
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设计一种与双极工艺兼容的可集成硅基光电探测器.对所提出的探测器进行理论分析,建立了可与传统双极工艺集成的工艺制程。仿真分析表明：未添加增透膜,器件光敏面面积为800μm×1000μm,在波长850nm的光照情况下,光电探测器的响应度为0.4A/W,-3dB带宽为165MHz。
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 电子科技大学 电子薄膜与集成器
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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设计一种与双极工艺兼容的可集成硅基光电探测器.对所提出的探测器进行理论分析,建立了可与传统双极工艺集成的工艺制程。仿真分析表明：未添加增透膜,器件光敏面面积为800μm×1000μm,在波长850nm的光照情况下,光电探测器的响应度为0.4A/W,-3dB带宽为165MHz。
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