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电子束蒸镀、直流磁控溅射、离子束溅射三种淀积方法用于制备铜薄膜器件，三种方法制备的铜膜的物理特性进行了详细的比较，在使用性能上也进行了初步的实验研究，从而在工艺方法和膜结构两个方面提出了实用性意见。研究表明，电子不蒸镀、直流磁控溅射是可采用的工艺方法，钛－铜双层膜、钛－铜－金多层膜是可采用的膜结构，离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）方法制备过渡层后，进一步用电子束蒸镀制膜是一种最佳的工艺方法。