【摘 要】
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本文系统研究了0－32wt％Cr、1－7.5wt％Al、0.3－1wt％Hf 对镍基熔融合金/氧化硅陶瓷界面反 应的影响,并进一步探索了含Hf 合金中,温度对界面反应的作用规律.采用X 射线衍射、扫描电
【机 构】
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北京航空材料研究院先进高温结构材料国防科技重点实验室,北京 100095
【出 处】
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第十二届全国青年材料科学技术研讨会
论文部分内容阅读
本文系统研究了0－32wt％Cr、1－7.5wt％Al、0.3－1wt％Hf 对镍基熔融合金/氧化硅陶瓷界面反 应的影响,并进一步探索了含Hf 合金中,温度对界面反应的作用规律.采用X 射线衍射、扫描电镜及能 谱仪对反应产物、反应界面形貌及结构进行了分析.研究结果表明,在镍基熔融合金/氧化硅型芯反应界面,Cr 含量对界面反应有明显的促进作用,随着Cr 含量的增加,合金中的铝氧化物数量增多,当Cr 含量达到 32wt％,尽管合金中仅有1wt％的Al,熔融合金/氧化硅陶瓷界面在1500℃即可形成一定厚度的产物层.Hf 对界面反应的促进作用强于Cr.无Hf 镍基合金的反应产物主要是氧化铝,含Hf 镍基合金主要生成氧化铪 及氧化铝.在中等Cr（9wt%）、含Hf 为1wt％合金中反应界面主要形成氧化铪；在较高Cr（15wt%）、含 Hf 为0.3wt％合金中反应产物中氧化铝增多,随温度升高反应程度显著增加,当反应温度升高至1540℃,反应产物有双层,靠近金属为氧化铪层,之上为氧化铝层.
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