射频磁控溅射法生长Mg0.1Zn0.9O:Al紫外透明导电膜性质研究

• 作 者: 王永利 马瑾 冯先进 杨帆 马洪磊 葛松华 刘汝军
• 机 构: 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100
• 出 处: 2006年全国功能材料学术年会
• 发表日期: 2006年期
• 关键词: 射频 磁控溅射法 紫外 薄膜 衬底温度 纤锌矿结构 平均透过率 玻璃衬底上 择优取向 射线衍射 结晶程度 带隙宽度 可见光 电阻率 六角 单相

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜,衬底温度由30℃变化到230℃.X射线衍射结果表明Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜为单相六角纤锌矿结构,具有(002)择优取向,衬底温度为180℃时制备薄膜的结晶程度较好.Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜的电阻率约为9.0×10-2Ωcm,在可见光范围内平均透过率达到85﹪,制备薄膜的带隙宽度约为3.62eV.