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利用深能级瞬态谱的方法可以了解半导体材料中深能级的信息，缺点是不能检测肖特基二极管中少子的陷阱能级。ODLTS法可以克服这一缺点。因此特别适用于检测不易做成P-n结的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体中的深能级。由于ZnSe晶体室温蓝色电致发光谱带的起因，在低温下应归结为与自由激子的发射有关，而深中心发射通常和晶体中的杂质及本征缺陷相联系，这样利用77K时电致发光光谱中激子发射带的强度IB和深中心发射带的强度IR的关系，可以定性地反映ZnSe晶体的质量。这种方法虽是定性的，不太严格，但由于它只要求简单的光谱设备和液氮条件，所以比较容易满足和实现。（韩理洁摘）