氩离子注入单晶Si表面微观摩擦磨损行为研究

• 作 者: 孙蓉 河南大学特种功能材料重点实验室(河南开封) 徐洮 刘惠文 张治军 薛群基
• 机 构: 中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室(甘肃兰州) 河南大学特种功能材料重点实验室(河
• 出 处: 全国第三届纳米材料和技术应用会议
• 发表日期: 2003年3期
• 关键词: 离子注入 表面改性 摩擦磨损 单晶硅

利用氩离子注入技术改善单晶Si表面的摩擦磨损性能,并用扫描电子显微镜研究了离子注入前、后,Si单晶在线性加载条件下的磨损机理.研究结果表明,经过1×10<17>Ar<+>/cm<2>剂量的氩离子注入后,单晶Si表面的抗磨损性能有了明显的提高.氩粒子的注入改善了单晶Si表面的韧性,提高了摩擦磨损性能.