论文部分内容阅读
该文采用ｓｏｌ－ｇｏｌ制备了Ｔｉ〈，３３〉Ｒｕ〈，３３〉Ｃｏ〈，３３〉尖晶石型钛阳极，并对涂层运用ＤＴＡ，ＸＲＤ，ＴＥＭ，ＳＥＭ等手段进行了测试；研究结果表明，涂层为尖晶石结果，形貌呈块状，钛阳极涂层烧结温度为３２０℃时，涂层晶粒小于１０ｎｍ。
尖晶石型涂层纳米钛阳极的溶胶凝胶法制备
【摘 要】
：
该文采用ｓｏｌ－ｇｏｌ制备了Ｔｉ〈，３３〉Ｒｕ〈，３３〉Ｃｏ〈，３３〉尖晶石型钛阳极，并对涂层运用ＤＴＡ，ＸＲＤ，ＴＥＭ，ＳＥＭ等手段进行了测试；研究结果表明，涂层为尖晶石结果，形貌呈块状，钛阳极涂层烧结温度为３２０℃时，涂层晶粒小于１０ｎｍ。
【机 构】
：
福州大学材料研究所(福州)
【出 处】
：
第六届全国典型零件热处理学术及技术交流会第三届全国热处理学会物理冶金学术交流会
【发表日期】
：
2000年期
其他文献
通过向SOFC阳极Ni+YSZ中掺入具有混合导电性的CeCaO增加了阳极反应的三相界面，在阳极内部提供了更多的氧离子通道，有效地促进了阳极反应的进行，提高了阳极的性能和电池的输出特
本文简单介绍了DSOI技术,并提出了体硅,SOI及DSOI MOSFET的热阻模型.进而对体硅,SOI MOSFET器件,特别是DSOI MOSFET的热学特性进行数值计算,比较其计算结果并做出相应的分析.
与体硅材料和器件比较，ＳＯＩ具有许多独特的优越性，例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩锁效应等。因而被称为２１世纪的微电子技术而引起人们越来越多的关注，ＳＯＩ技术正走向商业应用阶段。
全国经济下行,房价环比上行rn新冠肺炎疫情冲击下,国内经济衰退.第一季度GDP同比下降6.8％,较2019年第四季度大幅下滑12.8pts,为近20年以来首次负增长,且跌幅甚至大于2008年.出
期刊
在信息时代,信息作为最新、最有价值的知识的体现,不仅是最重要的战略资源,而且也是社会进步最强有力的推动力,即经济、文化等一切有价值的增长都是通过信息来实现的。反映
在晶粒间界缺陷态的场致发射理论的基础上，考虑了多晶硅ＴＦＴ关态时的寄生双极晶体管效应，提出了一个简单的物理模型，得到了关态电流与栅压、漏压、温度及沟道长度、宽度等的依赖关系
在Pt／Ti／SiO／Si衬底上，用Sol-gel方法制备PZT（40／60）铁电薄膜，选择不同的后期退火温度和时间，研究其对薄膜的微结构、铁电性能的影响，建立了合适的退火条件。对于厚度2200埃的PZT（40／60）铁
试验了利用同有质量分析器的离子注入机向硅片中注入氢离子，实现了硅表层薄膜的转移，形成ＳＯＩ结构。并利用ＲＢＳ、ＡＦＭ、ＸＴＥＭ、ＳＰＲ等研究了了用上述方法制备的ＳＯＩ材料，同时表征了所制备的ＳＯＩ材料质量。