基于NiZn铁氧体磁膜的RF平面微电感

• 作 者: 刘锋 杨晨 任天令 刘理天 刘道广
• 机 构: 清华大学 徽电子学研究所,北京 100084
• 出 处: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
• 发表日期: 2007年10期
• 关键词: 射频器件 磁性电感 制造工艺 金属材料

　　采用与集成电路工艺兼容的硅基工艺，制备了一种基于Ni0.4Cu0.2Zn0.4Fe2O4结构的RF平面微电感，结构形式为SiO2绝缘层/NiCuZn铁氧体磁膜层/SiO2绝缘层/Cu线圈。对Ni0.4Cu0.2Zn0.4FeO4磁膜的磁学性能进行了分析；并对此结构微电感的高频性能进行了测试，在1GHz磁膜结构微电感L＝1.942nH、Q=7.12,与同类型无磁膜微电感相比，L、Q值分别提高了6.5％和12.3％。随着L值和Q值的改善，磁膜微电感的结构尺寸可得到明显减小。