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该文对于理想导体构成的屏蔽体，在开有窄缝的情况下，用时域有限差分法（ＦＤＴＤ方法）计算了屏蔽体外的强电磁脉冲对体内的影响。即得到屏蔽体内的电磁场分布情况。计算结果表明：屏蔽体外强电磁脉冲对屏蔽体内的影响主要局限于窄缝附近。此结果对电子设备在强电磁脉冲下的防护有重要意义。
强电磁脉冲对屏蔽体内影响
【摘 要】
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该文对于理想导体构成的屏蔽体，在开有窄缝的情况下，用时域有限差分法（ＦＤＴＤ方法）计算了屏蔽体外的强电磁脉冲对体内的影响。即得到屏蔽体内的电磁场分布情况。计算结果表明：屏蔽体外强
【机 构】
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武汉大学
【出 处】
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电磁辐射环境影响及电磁兼容学术讨论会
【发表日期】
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1996年期
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