单色光照射下非晶InGaZnO基薄膜晶体管的电学不稳定性

来源 :第13届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiekc

【摘要】

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由于非晶InGaZnO (IGZO)基薄膜晶体管表现出了优越的电学性能,因此在作为液晶显示器和有机发光二极管显示器的驱动器件方面有着巨大的潜力,但是在器件的稳定性方面,仍然存在

【作者】

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于广黄晓明武辰飞张荣郑有炓陆海

【机构】

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江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学电子科学与工程学院,南京210093

【出处】

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第13届全国MOCVD学术会议

【发表日期】

：

2014年5期

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由于非晶InGaZnO (IGZO)基薄膜晶体管表现出了优越的电学性能,因此在作为液晶显示器和有机发光二极管显示器的驱动器件方面有着巨大的潜力,但是在器件的稳定性方面,仍然存在诸多问题.在本项工作中,我们发现在特定波长范围单色光照射下薄膜晶体管的亚阈值摆幅和场效应迁移率存在不稳定行为,并给出了相关物理模型来解释.

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