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随着集成电路中元器件的尺寸不断缩小,对纳米器件中带状材料的耦合作用的研究具有重要实际意义.因较弱的自旋‐轨道耦合,石墨烯被认为是制造自旋电子器件如自旋场效应晶体管的理想材料.研究石墨烯纳米带最小宽度,纳米带边缘耦合对体系电子结构的作用及影响带边耦合的因素等问题,对石墨烯基的电子元器件的设计、制造及器件的微型化至关重要.