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具有高储能密度、高转换效率以及快速充放电的储能电容器在整个脉冲功率系统中发挥着越来越重要的作用。目前储能材料储能密度较低，不能完全满足脉冲技术的发展，改善储能电容器性能的关键在于提高材料的储能密度。
氧化镧掺杂对铌酸锶钡基玻璃陶瓷结构、介电性能以及充放电性能的影响
【摘 要】
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具有高储能密度、高转换效率以及快速充放电的储能电容器在整个脉冲功率系统中发挥着越来越重要的作用。目前储能材料储能密度较低，不能完全满足脉冲技术的发展，改善储能电容器性能的关键在于提高材料的储能密度。
【机 构】
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同济大学材料科学与工程学院功能材料研究所,上海200092
【出 处】
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第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议
【发表日期】
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2016年5期
其他文献
六角晶系M 型钡铁氧体BaFe12O19,属于典型的硬磁材料,由于其制备成本低、电阻系数高、磁单轴各向异性强、化学性能稳定和耐磨损性好等优点,已经广泛应用于永磁体、高密度垂直磁记录介质、吸波材料等。
SrTiO3 是一种典型的先兆性铁电体，由于其介电常数对直流偏场有很强的依赖性且介电损耗低，在可调谐电子器件应用方面引起了广泛的关注。但不管是SrTiO3 单晶还是薄膜，其介电可调性均出现在80 K 以下。研究发现A 位阳离子掺杂可以拓展SrTiO3 材料介电可调性的温度范围。
近年来，以钨青铜结构铌酸盐或钽酸盐晶体为对象并在其基础上进行A、B 位掺杂的研究非常活跃，如A 位掺杂La、Sm、Nd 等元素以及B 位掺杂铁和钛元素等。
采用传统固相法成功制备了纯相钙钛矿立方结构的Li0.01Cd0.99Cu3Ti4O12致密陶瓷材料，系统的研究了烧结条件对陶瓷材料微观形貌、相结构以及介电性能的影响.获得了CdCu3Ti4O12陶瓷材料的最佳制备工艺.
会议
研究了In 元素掺杂对Er、Yb 共掺的Ba0.85Ca0.15TiO3 无铅压电陶瓷的铁电、介电及上转换发光性能的影响,并对其机理进行了初步探讨.研究发现,在980nm 的激光照射下,Er、Yb、In 共掺的Ba0.85Ca0.15TiO3 陶瓷会发出550nm 绿光和660nm 的红光.
最近10 年，基于压电单晶或陶瓷的层状磁电复合薄膜被广泛研究，人们主要采用压电性能较好、含铅的PMN-PT 单晶或PZT 陶瓷作为压电相，这两种压电材料虽然具有优异的压电性能，但是单晶材料昂贵的生产成本以及它们所含有的大量铅元素会给生态环境和人类健康带来危害。
采用传统固相法制备了0.965K0.4Na0.6Nb(1-x)SbxO3-0.035Bi0.45La0.05K0.5ZrO3 无铅压电陶瓷,简称KNNSx-BLKZ,深入讨论了Sb 含量变化对KNNSx-BLKZ 陶瓷体系相结构演变以及电学性能的影响.
钛酸锶基电子陶瓷是以SrTiO3 为基体的系列A 位或B 为掺杂的陶瓷材料。由于它们的介电损耗小、热稳定性好，一直以来得到了广泛的亲睐和应用。尤其是高质量的钛酸锶制造的高压电容器、晶界层电容器、压敏电阻、热敏电阻及其它电子元件，具有高性能、高可靠性、体积小等优点。
白光LED 因为其能耗少、污染小、寿命长、工作电压低的优点在以节能环保为主题的今天受到人们广泛的关注。被预言将取代传统的照明光源——白炽灯、荧光灯等，成为第四代照明光源。
通过传统的高温固相法制备了BaTi1-xSnxO3(x=0.02,0.10,0.15,0.25)陶瓷.XRD 图显示,制备的所有样品的相都是单一、纯净的.随着Sn4+/Ti4+浓度的增加,样品的居里温度向低温方向移动.