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该文研究是是以制盐后的苦卤为原料采用化学与物理方法相结合的技术制备高纯绝缘氧化镁。研究了氨沉淀法不同沉淀条件对沉淀物结构性质影响，以及轻烧和重烧条件对氧化镁绝缘性能的影响。试验结果表明，制得的高纯氧化镁纯度可达99.5℅以上，其绝缘性能优良，最高可达10<13>Ω·m。
苦卤制备高纯绝缘氧化镁
【摘 要】
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该文研究是是以制盐后的苦卤为原料采用化学与物理方法相结合的技术制备高纯绝缘氧化镁。研究了氨沉淀法不同沉淀条件对沉淀物结构性质影响，以及轻烧和重烧条件对氧化镁绝缘性
【机 构】
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中国科学院海洋研究所化学室
【出 处】
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中国化学会第六届应用化学学术会议
【发表日期】
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1999年10期
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