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用磁过滤阴极真空弧沉积(FCVAD)方法在Si衬底上合成了非晶刚石(ta-C)薄膜，Raman光谱和XPS分析表明衬底加80-100V负偏压时合成的ta-C薄膜SP<3>键含量最高，可达80℅以上。
FCVAD合成非晶金刚石薄膜研究
【摘 要】
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用磁过滤阴极真空弧沉积(FCVAD)方法在Si衬底上合成了非晶刚石(ta-C)薄膜，Raman光谱和XPS分析表明衬底加80-100V负偏压时合成的ta-C薄膜SP键含量最高，可达80℅以上。
【机 构】
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北京师范大学分析测试中心
【出 处】
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第七届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2000年期
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