【摘 要】
:
本文研究了加介质球磨混合粉末FeNi不同球磨时间的相结构以及压制成环状样品的磁性能.实验结果表明:不同球磨时间样品相的组成不同,晶粒直径和面心立方中Ni的百分含量随球磨时间的变化规律相同;在本实验条件下,球磨24h样品的软磁性能较好.
【出 处】
:
第四届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
本文研究了加介质球磨混合粉末Fe<,64>Ni<,36>不同球磨时间的相结构以及压制成环状样品的磁性能.实验结果表明:不同球磨时间样品相的组成不同,晶粒直径和面心立方中Ni的百分含量随球磨时间的变化规律相同;在本实验条件下,球磨24h样品的软磁性能较好.
其他文献
采用电化学阳极沉积和高温碳酸盐氧化两种方法制备氧化铱pH微电极,探索制备氧化铱pH微电极的最佳条件.研制出一种对氢离子响应快、线性范围宽、机械性能好、具有长期稳定性的氧化铱pH电极.并系统考察了氧化铱电极的pH响应特性,对氧化铱电极成分、机械性能等进行了表征.研究表明,这种氧化铱pH微电极适用于钢筋/混凝土界面pH值的原位测量.
采用测量multi-section单程增益放大自发发射方法研究了MOCVD方法生长的多层结构InGaAs/GaAs量子点光增益特性.随着注入电流的增大,峰值增益相应增大,同时增益谱峰向短波方向移动,增益谱宽度也增大.在同样的注入电流密度下,量子点的增益随着量子点层数的增加而增大,而且增益谱宽度减小.实验证明通过采用多层量子点结构可以提高材料的光增益,有效地降低量子点激光器的阈值电流密度,并且易于获
采用固相反应法合成了InBO:Re(Re=Eu,Tb,Ce)研究了InBO基质中稀土离子的光谱特性,观察到电荷迁移带位于255nm附近,Eu离子在InBO中产生极强的Do→F的跃迁表明Eu离子在该基质中占据对称性格位.Tb的4f-5d允许跃迁位于240nm附近,而4f-5d禁戒跃迁位于267nm附近,Tb离子呈现出极强的D→F发射.Ce离子在InBO中不发光.
本文以InCl·4HO为原料,经水解、胶溶、凝胶制备超细粉的前驱物,350℃煅烧得到InO超细粉末.利用XRD、TEM、TG-DTA等测试手段对粉末的物相、形貌进行了较详尽的研究.结果表明,加入适量形貌控制剂,可使颗粒的粒径和形貌得到很大改善.
研究了改进“氢化-歧化-脱氢-再复合”(简称HDDR)工艺制造的各向异性NdFeCoBGaZr磁粉的组织与磁特性.结果发现,上述磁粉的磁特性对脱氢-再复合温度敏感.其典型性能为Br=1.2T,Hei=920kA/m,(BH)m=248kJ/m.组织研究表明,在300~400nm大小的Nd(Fe,Co)B晶粒内部存在尺寸10nm左右的Nd(Fe,Co)相,其形成与HDDR相变的非平衡转变特点有关.
采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO薄膜,在N气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性.对薄膜的结构进行了表征,通过XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应,394nm的发光是由GeO缺陷引起的,580nm的发光与SiO(X<2)中的某种发光中心相联系.
采用国产商用普通Gd和在此基础上提纯的高纯Gd制成GdSiGe两种样品,在220~300K温度范围内对样品进行热膨胀测试,然后在T=200K和T=298K温度下,进行X射线衍射测试,结果发现两种样品的晶体结构在低温区和在高温区是不同的,表明用商用Gd也能产生结构相变.
研究了GdFeCoCr化合物的结构与磁性.这些化合物都具有Nd(Fe,Ti)型结构,A2/m空间群.得到3:29型单相GdFeCoCr化合物的Co含量和稳定元素Cr含量有关.Co原子的含量越高,所需稳定元素Cr的含量越大.对于确定的y值,GdFeCoCr化合物的居里温度随Co含量的增加而增加,而Cr含量的增加却导致GdCoCr化合物居里温度的降低.在x=7.5,y=4附近,饱和磁化强度达到极大值.
采用Czochralski法,我们成功地生长了大尺寸GdCaO(BO)单晶.在对晶体的完整性进行检测的过程中发现:晶体中存在亚晶界,该晶界贯穿整个大单晶.由于亚晶界两边的单体存在取向差,在同步辐射形貌像中可观察到像漂移.根据高分辨X射线衍射所确定的取向差,我们计算了对应几个典型衍射的形貌像漂移,计算结果与从形貌像中测量的结果符合得很好.
本文报道了用MOCVD方法制备单晶GaN薄膜的紫外光电导特性.结果表明,没有进行Mg掺杂和弱掺杂的样品具有显著的光响应,而且光响应弛豫时间也较短,随着Mg掺杂波度的增加,光响应变小,且弛豫时间变长.