【摘 要】
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对InGaAs/InP材料进行了1MeV电子束辐照,注量为5×1012cm-2～9×1014cm-2.样品选取量子阱材料和体材料,在辐照前后,对样品进行了PL谱(光致发光谱)测试,得到了不同结构InGaAs/In
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号,830011
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
论文部分内容阅读
对InGaAs/InP材料进行了1MeV电子束辐照,注量为5×1012cm-2～9×1014cm-2.样品选取量子阱材料和体材料,在辐照前后,对样品进行了PL谱(光致发光谱)测试,得到了不同结构InGaAs/InP材料在1MeV电子束辐照下的不同变化规律;对比分析了参数退化的物理机理.测试结果显示:试验样品的光致发光峰强度随着辐照剂量增大而显著退化.体材料最先出现快速退化,而五层量子阱在注量达到6×1014cm-2时,就已经退化至辐照前的9％.经分析认为原因有:1)电子束进入样品后,与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,致使产生的激子数量减少;2)电子束辐照在材料中引入缺陷,增加了非辐射复合中心密度,导致载流子迁移率降低.量子阱的二维限制作用使载流子运动受限,从而能够降低载流子与非辐射复合中心的复合概率.因此体材料比量子阱材料辐射损伤更为严重;量子阱的层数越多,则异质结界面数越多,相应的产生的界面缺陷数量也随之增多,辐射损伤越严重.
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