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基于3 维TCAD 器件模拟，研究了90nm CMOS 双阱工艺下相邻器件不同版图形式对电荷共享的影响. 研究结果表明：对NMOS 而言，从器件漏极离轰击位置越近电荷共享越严重；对PMOS而言，从器件源极离轰击位置越近电荷共享越严重. 这一结论对指导电荷共享版图设计加固具有重要意义。
90nm CMOS 工艺下器件版图排布对电荷共享的影响
【摘 要】
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基于3 维TCAD 器件模拟，研究了90nm CMOS 双阱工艺下相邻器件不同版图形式对电荷共享的影响. 研究结果表明：对NMOS 而言，从器件漏极离轰击位置越近电荷共享越严重；对PMOS而言，从器
【机 构】
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国防科技大学计算机学院长沙410073
【出 处】
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湖南省第三届研究生创新论坛——信息与控制工程的新理论和新技术分论坛
【发表日期】
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2010年11期
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