【摘 要】
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本文采用中子反射技术(neutron reflectivity)研究通过grafting to 的方法制备的强聚电解质刷-聚苯乙烯磺酸钠(sodium polystyrene sulfonate)在不同盐浓度下的结构，发现聚电解质刷的厚度在较低的盐溶液浓度时发生了溶胀增强的现象。通过grafting from 的方法合成两种接枝密度的聚苯乙烯磺酸钠刷，采用介电松弛谱测量内部离子对的偶极取向松弛峰的
【机 构】
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中国科学院化学研究所 National Institute of Standard Technol
【出 处】
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中国化学会2017全国高分子学术论文报告会
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本文采用中子反射技术(neutron reflectivity)研究通过grafting to 的方法制备的强聚电解质刷-聚苯乙烯磺酸钠(sodium polystyrene sulfonate)在不同盐浓度下的结构，发现聚电解质刷的厚度在较低的盐溶液浓度时发生了溶胀增强的现象。通过grafting from 的方法合成两种接枝密度的聚苯乙烯磺酸钠刷，采用介电松弛谱测量内部离子对的偶极取向松弛峰的频率变化，发现从低浓度氯化钠溶液到高浓度氯化钠溶液，离子对的偶极取向松弛峰逐渐向高频移动。这些结果对于平均场理论提出的渗透压刷模型提出了进一步的质疑。我们认为上述现象是外部盐离子渗透进刷子内部，打破了刷子内部偶极-偶极(dipole–dipole interaction)相互作用，拆开了相邻链之间多重离子对所带来的效应。
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目前，嵌段共聚物的引导组装的研究绝大多数集中在两嵌段共聚物聚，但是两嵌段共聚物有其自身难以克服的缺点，在化学图案上进行引导组装时，两嵌段共聚物的相区尺寸最大能被拉伸～10％。三嵌段共聚物是一个潜在的可解决上述难题的体系。
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我们将由成核-生长的控制的等温结晶动力学方程(Avrami 方程)推广至了双结晶情形，得到了崭新的等温双结晶动力学方程。我们将此方程用于以下三种存在双结晶过程的聚合物体系：具有不同受限环境的结晶性三元三嵌段共聚物、能同时形成多晶型的聚合物，链规整度存在一定分布的结晶聚合物。在双结晶过程当中存在着三种结晶类型：单独结晶类型，竞争类型和复合结晶类型。我们认为嵌段共聚物自组装中的缺陷，结晶时的成核密度，
四方对称结构是制备高密度存储材料和集成电路的必备几何图形,而嵌段共聚物的引导组装是构筑长程有序结构的有力手段之一.本文以聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-b-PMMA,46k-b-21k),聚苯乙烯(PS,50k),聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,18.2k)三元共混体系为研究对象,通过对组分比例,薄膜组装厚度、温度、时间等因素的调节,利用化学模板诱导的表面重组,成功的实现了本体为六方结构共混聚合物薄
本文主要使用POM、Raman microscope 和WAXD等手段研究了剪切作用下聚偏氟乙烯的结晶行为和相转变现象。研究结果表明，对聚偏氟乙烯(PVDF)在160℃下的过冷态熔体施加剪切作用可诱导其形成高度取向的β 型晶体。β型晶体进一步诱导其附近的各向同性熔体形成α 型横晶。α 型横晶在高温下退火时发生α→γ相转变，相变起始于β/α界面处并沿着横晶生长方向向外进行，相变速率落后于α 型横晶的
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接枝聚合物由于分子结构的特殊性使得其结晶行为线性高分子有所不同。近年来,有关于含有长烷基侧链的接枝聚合的结晶行为吸引了大量的注意力。已有研究表明主链结构,主链刚性,侧链接枝密度,侧链长度等均能影响该类聚合物的侧链结晶行为。本文首先合成了一系列以刚性的壳聚糖作为分子主链,不同长度的烷基作为侧链的接枝聚合物,并对其进行了DSC,变温X 射线等表征。结果表明该系列聚合物均为层状结构,主链与侧链交替排列。
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