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我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究，并分析得到了AlN分子束外延生长区间图。
AlGaN/GaN多量子阱的分子束外延生长及其子带间跃迁性质的研究
【摘 要】
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我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究，并分
【机 构】
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北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京100871
【出 处】
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第十三届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2012年期
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