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讨论了在氢氧化钾溶液中，以二氧化硅为掩膜，对半导体进行深度腐蚀所遇到的问题。实验发现，随着KOH溶液中硅的浓度的增加，溶液对SiO<,2>的腐蚀速率也不断增大。并提出一种悬挂键模型加以解释。
二氧化硅掩膜对氢氧化钾溶液抗蚀特性的分析
【摘 要】
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讨论了在氢氧化钾溶液中，以二氧化硅为掩膜，对半导体进行深度腐蚀所遇到的问题。实验发现，随着KOH溶液中硅的浓度的增加，溶液对SiO的腐蚀速率也不断增大。并提出一种悬挂键模型加
【机 构】
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中国科学院合肥智能机械研究所
【出 处】
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第六届全国敏感元件与传感器学术会议
【发表日期】
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1999年期
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