(AlP)/(AlN)及(AlAs)/(AlN)应变短周期超晶格的第一性原理计算

来源 :2002年中国材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:scottwong522
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我们使用基于混合基表示的第一原理赝势法研究了(AlP)<,n>/(AlN)<,n>和(AlAs)<,n>/(AlN)<,n>(n=1~5)应变短周期超晶格材料.其中假设(AlP)<,n>/(AlN)<,n>短周期超晶格材料外延生长在GaAs的(001)面上,而(AlAs)<,n>/(AlN)<,n>短周期超晶格材料外延生长在AlAs的(001)面上.通过计算发现,这两种超晶格材料,对所有的n,在Γ点都出现直接带隙.
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