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本文对碳化硅混合PiN/Schottky二极管(MPS)的伏安特性进行了模拟,结果表明MPS正向压降小,电流密度大,在2V正向偏压下达3000A/um,反向漏电流小,击穿电压高(2000V左右),可以通过改变肖特基和PN结的面积比来调整MPS的性能,与硅MPS、碳化硅PN结以及碳化硅肖特基二极管相比具有明显的优势,是理想的功率整流器.