【摘 要】
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通过对Ｐｏｌｙ－Ｓｉ ＣＭＰ工艺各参数的优化，采用Ｐａｄ ＵＲ－１００，Ｓｌｕｒｒｙ Ｎａｌｃｏ ２３６０，Ｔａｂｌｅ ｓｐｅｅｄ８０ＲＰＭ，Ｃａｒｒｉｅｒ Ｓｐｅｅｄ ５０ＲＰＭ，Ｄｏｗｎ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ２ｐｓｉ，Ｓｌｕｒｒｙ ｆｌｏｗ ｒａｔｅ ２００ｍｌ／ｍｉｎ的条件获得了表面粗糙度３５Ａ的好结果。
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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通过对Ｐｏｌｙ－Ｓｉ ＣＭＰ工艺各参数的优化，采用Ｐａｄ ＵＲ－１００，Ｓｌｕｒｒｙ Ｎａｌｃｏ ２３６０，Ｔａｂｌｅ ｓｐｅｅｄ８０ＲＰＭ，Ｃａｒｒｉｅｒ Ｓｐｅｅｄ ５０ＲＰＭ，Ｄｏｗｎ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ２ｐｓｉ，Ｓｌｕｒｒｙ ｆｌｏｗ ｒａｔｅ ２００ｍｌ／ｍｉｎ的条件获得了表面粗糙度３５Ａ的好结果。
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