【摘 要】
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本文针对流体在平行壁纳米通道内流动的数值模型、流动特性和边界条件进行了研究。提出了一个有效的压力驱动模型-通道移动模型，能够在平行壁纳米通道中流体内部产生一个较为稳定的线性压降；针对传统二阶速度滑移边界条件在研究纳米通道中流体流动问题的局限性进行了分析，发展了一个修正二阶速度滑移边界条件。提出流体在纳米通道内流动的滑移边界条件不仅与努森数和切向动量适应系数有关，而且也依赖于滑移层在努森层内的相对位
【机 构】
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江苏大学机械工程学院/微纳米科学技术研究中心,镇江212013 大连理工大学/工业装备结构分析国家
【出 处】
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中国力学大会2011暨钱学森诞辰100周年纪念大会
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本文针对流体在平行壁纳米通道内流动的数值模型、流动特性和边界条件进行了研究。提出了一个有效的压力驱动模型-通道移动模型，能够在平行壁纳米通道中流体内部产生一个较为稳定的线性压降；针对传统二阶速度滑移边界条件在研究纳米通道中流体流动问题的局限性进行了分析，发展了一个修正二阶速度滑移边界条件。提出流体在纳米通道内流动的滑移边界条件不仅与努森数和切向动量适应系数有关，而且也依赖于滑移层在努森层内的相对位置。针对平行壁纳米通道内的Poiseuille流问题，修正二阶速度滑移边界条件下的Navier-Stokes(N-S)方程描述与分子动力学方法获取的速度轮廓吻合良好，验证了修正二阶速度滑移边界条件的有效性，一定程度上拓宽了N -S方程在描述纳米微通道内流体运动特性的适用范围。
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