抑制短沟道效应的复合金属栅结构AlGaNGaN HEMT优化设计

• 作 者: 潘沛霖 杜江锋 严慧 于奇
• 机 构: 电子科技大学微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
• 出 处: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
• 发表日期: 2014年8期
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 氮化镓 氮化铝铟 复合金属栅结构 优化设计 短沟道效应

为抑制深亚微米栅器件的短沟道效应(SCEs),本文提出了一种采用复合金属栅结构的AlGaN/GaN HEMT,复合金属栅结构(CMG)由一系列不同功函数的栅极金属构成.仿真结果表明:与常规的单栅结构(SMG-HEMT)对比，双复合金属栅(DMG)和三金属复合(TMG)栅结构使AlGaN/GaN HEMT器件的DIBL值分别下降16.7％和18.8％。同时，器件的直流和频率特性也得到提升,并且随着构成栅极的金属种类越多，这种改善效果就越明显.