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多晶半导体陶瓷（ＢａＴｉＯ〈，３〉）烧结体的电阻率在其居里温度（Ｔｃ）附近增加几个数量级，这种现象称为ＰＴＣＲ效应。ＰＴＣＲ热敏电阻在各种场合得到了应用，但实际使用中由于阻值蠕变造成的失效较多。该研究利用交流复阻抗分析，在１０ＫＨＺ到１０ＭＨＺ的频率范围内测出了高居里温度的ＰＴＣＲ样品在阻值蠕变前后的阻抗，在复平面上绘出其Ｃｏｏｌ－Ｃｏｏｌ图为一段园弧，结果证明，ＰＴＣ热敏电阻的阻值蠕变来自多晶陶瓷烧结体的晶界电阻的增加，这种晶界电阻的增加是由于ＰＴＣＲ在较高温度工作时（２００－３００℃）晶界的氧吸附，从而为改进ＰＴＣＲ的电性能和提高其可靠性提供的依据。