高密度磁记录用La-Zn替代SrM铁氧体薄膜

• 作 者: 白建民[1]刘小晰[1]魏福林[2]杨正[2]余晋岳[3]松本光功[4]
• 机 构: 兰州大学磁性材料研究所
• 出 处: 第十届全国磁学和磁性材料会议
• 发表日期: 1999年期
• 关键词: 高密度磁记录 La-Zn替代 SrM薄膜 高密度磁记录材料 铁氧体薄膜 La-Zn

利用常用的射频溅射装置，制备了替代量不同的La-Zn替代Sr<,1>-xFe<,12>-xx<0>19(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)锶铁氧体薄膜。通过XRD、AFM及VSM等测试分析手段，对薄膜的晶体结构、表面形貌、磁性及其与温度的关系进行了测试与分析。结果表明La-Zn元素的添加，在使薄膜的磁性得到较大改善的同时，显著降低了退火过程中薄膜中晶粒的生长速率，从而得到了晶粒尺寸大约为12纳米的薄膜。适当的替代将增大薄膜的饱和磁化强度而不明显影响材料的磁晶各向异性。随替代量的增加。薄膜的矫顽力逐渐增加，而且在室温范围内，矫顽力温度系数明显降低。