【摘 要】
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采用低温Ge和SiGe／Ge超晶格相结合，吸收过滤因晶格失配在硅／锗界面处产生的失配位错向表面的穿透，制备出低位错密度、高质量的硅基Ge单晶薄膜。在具有硅盖层的硅基锗外延材料上，通过热氧化形成二氧化硅绝缘层，制备出硅基Ge MOS电容，研究了氧化物介质与锗界面物理结构对电学特性的影响。
【机 构】
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厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建 厦门 361005
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采用低温Ge和SiGe／Ge超晶格相结合，吸收过滤因晶格失配在硅／锗界面处产生的失配位错向表面的穿透，制备出低位错密度、高质量的硅基Ge单晶薄膜。在具有硅盖层的硅基锗外延材料上，通过热氧化形成二氧化硅绝缘层，制备出硅基Ge MOS电容，研究了氧化物介质与锗界面物理结构对电学特性的影响。
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