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用金相显微镜、扫描电镜对SiCw/MB15镁基复合材料在340℃,应变速率为1.67×10 <-2>S <-1>变形条件下超塑性变形过程中空洞的行为进行了研究.结果表明空洞最先在三叉晶界处形成,空洞的长大在变形初期由扩散控制,变形后期由基体塑性变形控制.
SiCw/MB15镁基复合材料超塑性变形空洞行为
【摘 要】
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用金相显微镜、扫描电镜对SiCw/MB15镁基复合材料在340℃,应变速率为1.67×10 S 变形条件下超塑性变形过程中空洞的行为进行了研究.结果表明空洞最先在三叉晶界处形成,空洞的
【机 构】
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哈尔滨工业大学材料科学与工程学院(哈尔滨)
【出 处】
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第八届全国青年材料科学技术研讨会
【发表日期】
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2001年期
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