【摘 要】
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研究了锗片中注入H离子退火后表面起泡的现象，得到了对应不同退火温度下不同起泡时间的动力学曲线图以及相应的激活能。在不同的温度区间，激活能并不相同。对于锗，低温段的
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京 100029
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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研究了锗片中注入H离子退火后表面起泡的现象，得到了对应不同退火温度下不同起泡时间的动力学曲线图以及相应的激活能。在不同的温度区间，激活能并不相同。对于锗，低温段的激活能低于高温段的激活能，这和其他材料有明显不同。我们认为在锗片起泡过程中，H缺陷复合物释放H是根据不同的结合能由低到高而逐渐发生的，计算所得到的激活能也和不同H缺陷复合物结合能相吻合。同时我们还利用TEM(透射电镜)对样品内部缺陷微观结构的形成和演变进行了表征和研究，结果表明，内部裂纹的生长和成熟机制与其他材料基本类似。
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