论文部分内容阅读
金刚线切割多晶硅片常规酸性湿法制绒问题减反射效果不足切割纹依然可见VE制绒技术研发进展简介机理:蒸气凝结微液滴刻蚀(Semiconductor Sci.Tech.2016,Mater.Sci.Semiconductor Process,2016)控制条件:基本掌握开发路线:单片→500片/hr→3000片/hr计划一年完成.目前完成单片装置和初步实验