惰性气氛中烧结型mgo.SnO[*v2-x*]元件气敏性研究

来源 :1986年中日电子敏感技术科学讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangxinyao1121
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研究了Mgo.SnO[*v2-x*]元件在干燥空气、惰性气氛(高纯氮、氩气)中的气敏特性,采用匀速加热方法,测试了元件在各种气氛中取样电压(V[*vL*])随加热温度(T)升高的变化规律。结果表明:元件在氮气、氩气和空气中,V[*vL*]~T有相同变化规律;它们均在350°C附近V[*vL*]出现极大值;在420°C附近V[*vL*]出现极小值;同时发现元件在惰性气氛中对于微量还原性气体具有比在空气中高的影响;进一步在动态系统中测试了元件与还原性气体(H[*v2*])反复作用下的恢复特性;证明该元件在惰性气氛中的响应是可逆的。根据所得结果初步探讨了元件的体内和表面电导变化过程。认为用表面解离吸附模型解释元件的气敏效应机理较为合理。(本刊录)
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