非晶Si-B-C-N陶瓷的电学特性研究

• 作 者: 王岩松 徐世峰 苗元华 张立功 范翊 安立楠 王文全
• 机 构: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033
• 出 处: 第十三届全国高技术陶瓷学术年会
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 非晶半导体 陶瓷样品 电学 直流电导率 温度范围 退火温度 高温热裂解 退火过程 测试方法 状态 显示 特性 室温 高导 法制 电压 电流 材料

　　本文采用高温热裂解法制备出Si-B-C-N陶瓷样品,在1100℃和1400℃退火5h后XRD结果显示两个样品均保持非晶状态.采用电流-电压直流测试方法,确定了样品在室温至1100℃温度范围内的直流电导率,材料的电导率在整个温度范围内均随着温度的升高而增大,呈现出非晶半导体的特性.退火温度升高导致电导率显著增大,这与高温退火过程中H的失去有关.