论文部分内容阅读
本文在导电玻璃(SnO2/glass)廉价衬底上,采用热壁外延方法制作GaAs多晶薄膜.电子探针(EPMA)、x射线衍射(XRD)、PL光谱和Raman光谱测试、四探针测试仪等分析结果表明,该GaAs多晶薄膜可望成为新一代廉价、高效太阳电池的候选材料.此外,采用PCID软件对GaA多晶薄膜太阳电池的结构设计与理论分析显示:较大的晶粒尺寸是获得较好多晶薄膜电池性能的必要条件;建立背场(BSF)、采用p-i-n结构及建立界面势垒是显著改善其光伏性能的有效途径.