【摘 要】
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传统的G.654光纤在设计波导结构时,简单的将芯子加粗,折射率值略微降低,以满足截止波长位移、大有效面积等特性的G.654光纤标准,但其在低衰减、抗弯曲等关键性能上表现均无优
【机 构】
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江苏亨通光电股份有限公司;江苏亨通光导新材料有限公司
【出 处】
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光纤材料产业技术创新战略联盟一届七次理事会暨技术交流会
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传统的G.654光纤在设计波导结构时,简单的将芯子加粗,折射率值略微降低,以满足截止波长位移、大有效面积等特性的G.654光纤标准,但其在低衰减、抗弯曲等关键性能上表现均无优势.本文在传统G.654光纤的波导结构的基础上,进行了波导结构的重新设计,生产工艺采用轴向气相沉积法(VAD)制备芯棒,使用掺氟衬管制造出沟槽辅助内包层结构,RIC法制备光纤预制棒,使用在线拉丝工艺,制造成本低、工艺简单灵活易于批量生产.本文的实验得出如下结论:1)增加下陷环包层能大大改善光纤的抗弯曲性能,2)通过优化芯包间的掺杂浓度,芯包间粘度得到匹配,减少了芯/包层的界面上缺陷和断键,再加上拉丝过程配合退火工艺,光纤的衰减系数大大降低.本文设计的光纤满足G.654.E光纤对非线性、低衰减、弯曲的严格要求,光纤的1550nm和1625nm窗口在弯曲半径30mm,绕100圈,其对应弯曲附件损耗分别为0.037db和0.042db,1550nm模场对应有效面积在120μm2,对应的衰减系数最小达到0.170dB/km,典型值在0.175dB/km.
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