N型掺杂相关论文
石墨烯作为一种单层碳原子纳米材料，其平面内碳原子以sp~2电子轨道杂化形成二维蜂窝状晶体结构，厚度仅有0.34 nm,具备优异的光电性能......
低维量子结构和材料以其在电子工业中广阔的的应用前景在近年得到了广泛的关注。基于密度泛函的第一原理方法则在低维材料的研究中......
半导体锗在被发现后的很长时间内都没有引起人们的重视,这是由于当时发现的含锗矿物很少,并且锗及其化合物的提纯制备在当时较为困......
有机电致发光器件（OLED）具备自发光、面发光、可在柔性基底上制备等优势,随着OLED材料和器件制备工艺的不断进步,OLED的成本逐渐下降......
学位
AlGaN材料作为第三代半导体材料在深紫外发光二极管（DUV-LEDs）等光电子器件领域具有非常广泛的应用前景。理论上,由非极性Al Ga N材......
学位
Si基高效发光器件是目前Si基光电集成回路最具有挑战的器件之一。Ge由于具有准直接带特性、高载流子迁移率、在1.55μm附近有高的......
本论文采用Gaussian98程序,密度泛函B3LYP/6-311G**方法,首次在理论上对以PCl3为磷源,在常压氢气氛下外延生长N型硅的整个过程的微......
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。......
Ge材料由于在近红外波段具有较大的吸收系数、高的载流子迁移率、以及与Si工艺相兼容等优势而被视为制备近红外光电探测器最理想的......
掺杂是改善有机半导体载流子浓度和电荷输运能力的有效方法.路易斯碱负离子电子转移掺杂有机半导体,逐渐发展成为了一种温和、可控......
本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2 O3)单晶,掺杂浓度为2×1018 cm-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴......
立方氮化硼(Cubic boron nitride,cBN)是具有优异物理化学性质的超硬材料和宽带隙半导体材料。它的硬度和热导率仅次于金刚石,高温......
SiC IGBT作为一种MOS、双极复合型器件,兼具两者的优势,是一种理想的开关器件,然而一直以来制约SiC IGBT发展的一个重要的因素是沟......
本工作采用Monte Carlo方法，根据辉光放电理论，利用“伪碰撞”技巧和重整化方法深入研究了低温合成金刚石薄膜过程中电子的角分布以......
SiC作为第三代半导体材料,有着许多优良的特性,因此它是目前研究的热点之一。其具有优良的热稳定性、化学稳定性和较高电子迁移速......
利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,......
期刊
通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.......
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,Al掺杂ZnO(ZnAlO)和Ga掺杂ZnO(ZnGaO)......
