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期刊论文
消除CCD不良背景的工艺研究
消除CCD不良背景的工艺研究
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:rentianyou123
【摘 要】
:
对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体
【作 者】
:
李平
郑杏平
李仁豪
雷仁方
许宏
韩恒利
陈捷
张故万
汪
【机 构】
:
重庆光电技术研究所
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
2008年3期
【关键词】
:
电荷耦合器件
不良背景
栅介质
本征吸杂
低温退火
CCD
harmful background
gate dielectric
intrinsic ge
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对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成像中的不良背景得到了有效控制。
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