质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧

• 作 者: 章家鼎 何天裕
• 机 构: 中国科学院上海原子核研究所,北京有色金属研究院
• 出 处: 核技术
• 发表日期: 1979年02期
• 关键词: 高纯锗 半导体探测器 活化分析 半导体材料 沉淀法 氧含量 质量要求 单道分析器 中含 二苯二氯硅烷

一、引言 近年来,由于对半导体材料的需要日益增长,以及制造Ge(Li)半导体探测器技术的迅猛发展,对锗材料的质量要求越来越高了。在一些研究中发现,锗中含的微量氧,对器件的性能会产生很大影响,从而提出了测定高纯锗中痕量氧(氧含量<1ppm)的要求。

I. Introduction In recent years, due to the increasing demand for semiconductor materials and the rapid development of Ge (Li) semiconductor detector technology, the quality requirements of germanium materials are getting higher and higher. In some studies, it has been found that trace amounts of oxygen contained in germanium have a great influence on the performance of the device, and thus a requirement for the determination of trace oxygen (oxygen content <1 ppm) in high-purity germanium has been proposed.