电化学和sol—gel法结合制备Cu-SiO2薄膜——不同pH值CuSO4硅溶胶中Cu的电化学行为

• 作 者: 陈应龙 辜敏
• 机 构: 煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室（重庆大学）,复杂煤气层瓦斯抽采国家地方联合工程实验室（重庆大学）,重庆大学化学化工学院
• 出 处: 材料保护
• 发表日期: 2014年7期
• 关键词: Cu—SiO2凝胶薄膜 电化学法 溶胶-凝胶法 循环伏安法 计时安培法 电沉积 电结晶 Cu-SiO_2 gel film electrochemical m

研究金属或半导体在溶胶中的电化学行为对电化学和溶胶-凝胶（sol-gel）法结合制备掺杂金属和半导体的复合凝胶薄膜有极大指导意义。用循环伏安（CV）和计时安培（CA）法研究了电化学和sol-gel法结合制备Cu—SiO2凝胶薄膜时不同pH值CuSO4硅溶胶中Cu在玻碳电极上的电沉积和电结晶行为。结果表明：在pH=1．0-3．0的CuSO2硅溶胶中，Cu2＋的扩散系数在pH=2．0时最小，pH=1．0时较pH=3．0时大，这也是造成硅溶胶中pH=2．0时还原最难，pH=3．0时次之，pH=1．0时最易的原因