Cr_2N薄膜抗氧化性能的研究

来源 :云南大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:blueblood008
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采用空心阴极放电离子镀(HCD)技术,在硅基片上沉积CrN薄膜.用X射线衍射技术(XRD)及透射电镜(TEM)分析了氮气分压对沉积的CrN薄膜结构的影响.用电子探针(EPMA)及椭偏仪研究了Cr2N,Cr薄膜在大气环境里不同温度下的抗氧化性能. Using hollow cathode discharge ion plating (HCD) technology, deposited on a silicon substrate Cr  N film. X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM) analysis of nitrogen partial pressure on the deposited Cr  N film structure. The oxidation resistance of Cr2N and Cr films at different temperatures in atmospheric environment was investigated by EPMA and ellipsometry.
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