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采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜，研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化．结果表明，薄膜主要以非晶为主，由Si—C键，C—C键和少量Si的氧化物杂质组成；在真空条件下经高温退火后，薄膜C-C键的含量减少，而Si—C键的含量增加，真空退火有利于SiC的形成；在800℃空气中退火后，薄膜表面生成一层致密的SiO2薄层，阻止了氧气与薄膜内部深层的接触，有效保护了内部的SiC．在空气条件下，SiC薄膜在800℃具有较好的热稳定性．