氮离子注入金刚石薄膜的研究

• 作 者: 辛火平 林成鲁 王建新 邹世昌 石晓红 林梓鑫 周祖尧 刘祖刚
• 机 构: 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点
• 出 处: 中国科学E辑:技术科学
• 发表日期: 1997年03期
• 关键词: 金刚石膜 金刚石薄膜 Raman光谱 C≡N共价键 四探针法 深能级杂质 紫外荧光光谱 背散射 石墨化程度 氮离子注入

采用Raman光谱、四探针法、X射线衍射(XRD)、Rutherford背散射谱(RBS)、Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等手段研究了不同能量不同剂量的N~+注入对CVD金刚石膜的结构和电学性质的影响.

Raman spectroscopy, four-probe method, X-ray diffraction (XRD), Rutherford backscattering (RBS), Fourier transform infrared absorption spectroscopy (FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were used to study the effects of different energy doses Effect of N ~ + implantation on the structure and electrical properties of CVD diamond films.