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研完了CuO掺杂对WO3压敏电阻微结构和电学行为的影响，样品采用传统的陶瓷工艺制备。微结构通过扫描电子显微镜（SEM）观察，相结构和成分借助于X射线衍射（XRD）和能谱（EDS）进行分析。结果表明，微量的CuO掺杂能够促进WO3陶瓷的致密化和晶粒生长。根据I-V特性测量结果，0．2％（摩尔分数）CuO掺杂的WO3陶瓷具有线性伏安特性和极小的电阻率。CuO含量的继续增加使样品的非线性电学行为和电阻率又获得恢复，这是因为偏析于晶界处的CuO与两侧的晶粒形成了n—p—n型的双肖特基势垒。