【摘 要】
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采用倾斜溅射工艺制备了一种Cr/Ti/Ni三层金属吸气剂薄膜,其中Ti薄膜作为主吸气层,Cr薄膜为沉积在Ti下方的阻挡层,Ni薄膜为覆盖在Ti上方的保护层.在350℃高温激活后,吸气剂初
【机 构】
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中国科学技术大学信息科学技术学院,合肥 230000;华东光电集成器件研究所,安徽蚌埠 233000;华东光电集成器件研究所,安徽蚌埠 233000;中国科学技术大学信息科学技术学院,合肥 23000
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采用倾斜溅射工艺制备了一种Cr/Ti/Ni三层金属吸气剂薄膜,其中Ti薄膜作为主吸气层,Cr薄膜为沉积在Ti下方的阻挡层,Ni薄膜为覆盖在Ti上方的保护层.在350℃高温激活后,吸气剂初始吸气速率大于100 cm3·s-1·cm-2,30 min内吸气容量大于40 Pa·cm3·cm-2,接近国外先进吸气剂的吸气性能指标.利用一种特殊的立体掩膜在微电子机械系统(MEMS)盖帽深腔内制备吸气剂,并将盖帽用于陀螺仪的晶圆级真空封装.对封装好的陀螺仪芯片进行微腔室残余气体分析,陀螺仪内部封装真空度达到1 Pa量级,气体成分均为惰性气体,表明吸气剂在真空封装中发挥了重要作用.
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