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常用的分子柬外延、粒子柬沉积法难以获得均匀、致密性好的单一相β-FeSi2薄膜，利用脉冲激光沉积及热退火处理法在P型Si（100）基片上制备了均匀的单一相β-FeSi2薄膜。利用x射线衍射仪、扫描电镜、原子力显微镜及红外光谱仪研究了靶基距对β-FeSi：薄膜的结构、组分、结晶质量、表面形貌及光吸收特性的影响。结果表明：随着靶基距的增加，薄膜的晶化程度先变差后增强再变差，晶粒尺寸先减小后增大再减小，颗粒分布均匀性先变好后变差；表面粗糙度先减小后增大；靶基距为40mm时，β-FeSi2薄膜的结晶度较高，颗粒大