【摘 要】
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近年来,加入晶粒助长剂TiO2以实现低压化的低压ZnO压敏电阻发展迅速.实验所用配方为掺杂TiO2的98.3%ZnO-0.7% Bi2O3-1.0% TiO2(摩尔分数)和相应无TiO2掺杂的配方,在900～1 200
【机 构】
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同济大学材料科学与工程学院,苏州中普电子有限公司
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近年来,加入晶粒助长剂TiO2以实现低压化的低压ZnO压敏电阻发展迅速.实验所用配方为掺杂TiO2的98.3%ZnO-0.7% Bi2O3-1.0% TiO2(摩尔分数)和相应无TiO2掺杂的配方,在900～1 200 ℃下烧结制备样品.给出了相分析、半定量分析及电性能测试结果.发现TiO2可以有效促进ZnO晶粒长大,降低压敏电压梯度.1 100 ℃下,TiO2掺杂试样的平均晶粒尺寸为56.4 μm,远大于无TiO2掺杂的31.8 μm.大部分TiO2首先与Bi2O3反应生成Bi4(TiO4)3液相,这大
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