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目前半导体纳米材料已备受瞩目，其中ZnO作为一种直接带隙宽禁带（Eg=3.37eV）半导体材料是最为引人注意的材料之一。通常通过控制纳米材料的尺寸、结构或对ZnO纳米材料有效的掺杂，能够对其物理性质进行改善和调整。对其进行适当的掺杂(如在ZnO中共掺Ⅲ族和Ⅴ族元素可实现ZnO的导电类型从n型到p型的转换，也可以使得ZnO纳米材料的光学电学性能有着显著的提高，研究其中掺杂是非常必要的。近几年来，为了进一步提高ZnO的紫外发光效率，一种具有超晶格结构的ZnO纳米结构成为研究热点。本文重点研究了InAlO3（ZnO）15超晶格纳米串的制备，并结合扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱等仪器对样品的形貌、结构进行表征。通过透射电子显微镜图像，可以清晰地看出所合成的超晶格纳米串具有层状周期性结构，并且纳米片沿其生长方向相互平行排列。同时，我们研究了InAlO3（ZnO）15超晶格纳串的生长机制、光致发光性质和电学性能，其I-V特性曲线出现独特的非线性性质。